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ＺｎＯ　压敏电阻的微观结构分析发现，形成的四个主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦绿石和一些富　Ｂｉ　相（图　３）。图 中也指明了组分存在的部位，还存在一些用现有技术尚不 易检测出来的其它次要相。 ＺｎＯ　压敏电阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之间， 并且也总是伴有双晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生长，而　ＴｉＯ２　 和　ＢａＯ　则加速晶粒长大。尖晶石和焦绿石相对晶粒长大有 抑制作用。焦绿石相在低温时起作用，而尖晶石相在高温 时有利。当用盐酸浸蚀晶粒时，中间相呈现出在电性上绝 缘的三维网络。 烧结形成的　ＺｎＯ　晶粒是　ＺｎＯ　压敏电阻的基本构成单纯　ＺｎＯ　是具有线性　Ｉ－Ｕ　特性的非化学计量　ｎ　型半导 体。进入　 ＺｎＯ　 中的各种添加物使其具有非线性。这些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。这些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 边界处形成原子缺陷，施主或类施主缺陷支配着耗尽层， 而受主和类受主缺陷支配着晶粒边界状态。相关的缺陷类 型是锌空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙锌

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zno压敏电阻是半导体电子陶瓷器件，主要功能是 识别和限制瞬态过电压，反复使用而不损坏。它的电流 （Ｉ）—电压（Ｕ）特性是非线性的，与稳压二极管相似。 但与二极管不同，压敏电阻能限制的过电压在两个极性上 相等，于是呈现的　 Ｉ－Ｕ　 特性很象两个背对背的二极管。 压敏电阻能用于交流和直流电场，电压范围从几伏到几千 伏，电流范围从毫安到几千安。压敏电阻还附加有高能量 吸收能力的特性，范围从几焦耳到几千焦耳。它的通用性 使得压敏电阻在半导体工业和电力工业都有应用。 ＺｎＯ　压敏电阻是用半导体　ＺｎＯ　粉末和其它氧化物粉末 如：Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ　等经过混合、压型和烧 结工艺而制成。得到的产品是具有晶界特性的多晶陶瓷， 这一边界特性决定了压敏电阻的非线性　Ｉ－Ｕ　特性。 ＺｎＯ　压敏电阻的基本特性包括电学特性、物理特性和 化学特性。微观结构是体现这些性质的媒介，是　ＺｎＯ　压敏 电阻的基础。

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